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文件 : 1-9 — 9 1
1. . GSFC  GSFC-S-311-P-818  
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1997-SEP-15 • 现用 •
MICROCIRCUIT, MEMORY, HYBRID, STACKED WAFER SEGMENT, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM)

2. . DLA  MIL-M-38510/240A VALID NOTICE 3  
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2006-JAN-31 不用于新设计
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, NMOS, 16,384 BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLYTHIC SILICON

3. . DLA  MIL-M-38510/244B VALID NOTICE 3  
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2006-JAN-31 不用于新设计
MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS, 65,536 BIT, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON

4. . DLA  MIL-M-38510/246 VALID NOTICE 3  
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2006-JAN-31 不用于新设计
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, NMOS, 246,144-BIT, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON

5. . DLA  MIL-M-38510/249A CANC NOTICE 2  
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$25.00
2001-OCT-10 已取消
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1,048,576/1-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON

6. . DLA  SMD-5962-85152 REV F  
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2006-MAY-02 • 现用 •
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS, 256K X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON

7. . DLA  SMD-5962-90617REV C  
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2008-MAY-15 • 现用 •
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 4 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON

8. . DLA  SMD-5962-90622 REV D  
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$39.00
2007-MAY-03 • 现用 •
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) MONOLITHIC SILICON

9. . DLA  SMD-5962-96889 REV A  
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$33.00
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$33.00
2006-APR-05 • 现用 •
MICROCIRCUIT DIE, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON

文件 : 1-9 — 9 1



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